casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MR25H10MDFR
codice articolo del costruttore | MR25H10MDFR |
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Numero di parte futuro | FT-MR25H10MDFR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MR25H10MDFR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | RAM |
Tecnologia | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | 40MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-VDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR25H10MDFR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MR25H10MDFR-FT |
W25Q32FWZEIG TR
Winbond Electronics
W25Q32FWZPIG
Winbond Electronics
W25Q32FWZPIQ
Winbond Electronics
W25Q32FWZPIQ TR
Winbond Electronics
W25Q40BWZPIG
Winbond Electronics
W25Q40BWZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q40CLZPIG
Winbond Electronics
W25Q64BVZEIG
Winbond Electronics
W25Q64CVZEIG
Winbond Electronics
W25Q64CVZEJG
Winbond Electronics
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel