casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MR25H10MDFR
codice articolo del costruttore | MR25H10MDFR |
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Numero di parte futuro | FT-MR25H10MDFR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MR25H10MDFR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | RAM |
Tecnologia | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | 40MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-VDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR25H10MDFR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MR25H10MDFR-FT |
W25Q32FWZEIG TR
Winbond Electronics
W25Q32FWZPIG
Winbond Electronics
W25Q32FWZPIQ
Winbond Electronics
W25Q32FWZPIQ TR
Winbond Electronics
W25Q40BWZPIG
Winbond Electronics
W25Q40BWZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q40CLZPIG
Winbond Electronics
W25Q64BVZEIG
Winbond Electronics
W25Q64CVZEIG
Winbond Electronics
W25Q64CVZEJG
Winbond Electronics
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel