codice articolo del costruttore | MR2510 |
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Numero di parte futuro | FT-MR2510 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR2510 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.18V @ 78.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Microde Button |
Pacchetto dispositivo fornitore | Microde Button |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR2510 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MR2510-FT |
UPS5817E3/TR7
Microsemi Corporation
MBRM130LT3G
ON Semiconductor
UPS115UE3/TR13
Microsemi Corporation
UPS115UE3/TR7
Microsemi Corporation
UPS120/TR13
Microsemi Corporation
UPS120/TR7
Microsemi Corporation
UPS120E/TR13
Microsemi Corporation
UPS120E/TR7
Microsemi Corporation
UPS120E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS120EE3/TR13
Microsemi Corporation
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel