casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MR20H40CDFR
codice articolo del costruttore | MR20H40CDFR |
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Numero di parte futuro | FT-MR20H40CDFR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR20H40CDFR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | RAM |
Tecnologia | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | 50MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-VDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN-EP, Small Flag (5x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR20H40CDFR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MR20H40CDFR-FT |
W25Q32DWZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q32FVZEIG
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W25Q32FVZEIG TR
Winbond Electronics
W25Q32FVZEJQ
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Winbond Electronics
W25Q32FVZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q32FVZPIQ
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W25Q32FVZPIQ TR
Winbond Electronics
W25Q32FWZEIG
Winbond Electronics
XC3S500E-4CPG132C
Xilinx Inc.
APA075-FG144A
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
10M04SAM153I7G
Intel
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP20K100EFC324-3
Intel
EPF8636AQC160-3N
Intel