casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MR0A16AMYS35R
codice articolo del costruttore | MR0A16AMYS35R |
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Numero di parte futuro | FT-MR0A16AMYS35R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR0A16AMYS35R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | RAM |
Tecnologia | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Dimensione della memoria | 1Mb (64K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 35ns |
Tempo di accesso | 35ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR0A16AMYS35R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MR0A16AMYS35R-FT |
SM671PEE-AD
Silicon Motion, Inc.
SM671PXA-AD
Silicon Motion, Inc.
SM671PXB-AD
Silicon Motion, Inc.
SM671PXB-ADS
Silicon Motion, Inc.
SM671PXC-AD
Silicon Motion, Inc.
SM671PXC-ADS
Silicon Motion, Inc.
SM671PXD-AD
Silicon Motion, Inc.
SM671PXD-ADS
Silicon Motion, Inc.
SM671PXE-AD
Silicon Motion, Inc.
71256L55TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel