casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / MP1002G-G
codice articolo del costruttore | MP1002G-G |
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Numero di parte futuro | FT-MP1002G-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MP1002G-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, MP-8 |
Pacchetto dispositivo fornitore | MP8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MP1002G-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MP1002G-G-FT |
GBJ2006
Diodes Incorporated
GBJ2010
Diodes Incorporated
GBJ25005
Diodes Incorporated
GBJ2501
Diodes Incorporated
GBJ2502
Diodes Incorporated
GBJ2504
Diodes Incorporated
GBJ2506
Diodes Incorporated
GBJ2510
Diodes Incorporated
GBJ6005
Diodes Incorporated
GBJ601
Diodes Incorporated
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2C35U484C7
Intel
EP4CE15F23C9L
Intel
EP3C16E144I7
Intel
A1010B-PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1020C5N
Intel