casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MOX91021004FVE
codice articolo del costruttore | MOX91021004FVE |
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Numero di parte futuro | FT-MOX91021004FVE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Super-Mox |
MOX91021004FVE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 3.8W |
Composizione | Metal Oxide Film |
Caratteristiche | High Voltage, Moisture Resistant, Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 225°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.315" Dia x 1.063" L (8.00mm x 27.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX91021004FVE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MOX91021004FVE-FT |
OA564K
Ohmite
OA564KE
Ohmite
OA560K
Ohmite
OA560KE
Ohmite
OA47GK
Ohmite
OA47GKE
Ohmite
OA474K
Ohmite
OA474KE
Ohmite
OA473K
Ohmite
OA473KE
Ohmite
A3P125-TQ144
Microsemi Corporation
XC2VP2-6FG256I
Xilinx Inc.
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA7K2F40I3
Intel
10AX022C4U19I3SG
Intel
XC4VFX60-11FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC3D3F31I3N
Intel
5AGXMA5G6F35C6N
Intel