casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MOX200001006FE
codice articolo del costruttore | MOX200001006FE |
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Numero di parte futuro | FT-MOX200001006FE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Mini-Mox |
MOX200001006FE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | 100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.087" Dia x 0.256" L (2.20mm x 6.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX200001006FE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MOX200001006FE-FT |
OA470K
Ohmite
OA470KE
Ohmite
OA392KE
Ohmite
OA391KE
Ohmite
OA390K
Ohmite
OA390KE
Ohmite
OA33GK
Ohmite
OA33GKE
Ohmite
OA333K
Ohmite
OA333KE
Ohmite
XC3S200A-4FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
AFS1500-FG256K
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-2X
Intel
5SGXMA3K3F35I4N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SG
Intel
EP1K50QC208-2N
Intel