casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MOX-5N-131005FE
codice articolo del costruttore | MOX-5N-131005FE |
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Numero di parte futuro | FT-MOX-5N-131005FE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-5N-131005FE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 6W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 210°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.345" Dia x 5.140" L (8.76mm x 130.56mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-5N-131005FE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MOX-5N-131005FE-FT |
OA273K
Ohmite
OA273KE
Ohmite
OA272K
Ohmite
OA272KE
Ohmite
OA271K
Ohmite
OA271KE
Ohmite
OA270K
Ohmite
OA270KE
Ohmite
OA22GK
Ohmite
OA22GKE
Ohmite
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
A3P400-1PQG208
Microsemi Corporation
A54SX72A-FPQ208
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-2
Intel
EPF10K130EFC672-2X
Intel
EP2S30F484C5
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5CGTFD9C5F23I7N
Intel
EPF10K30BC356-3
Intel