casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MOX-3N-131007JE
codice articolo del costruttore | MOX-3N-131007JE |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MOX-3N-131007JE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-3N-131007JE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 GOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 4W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 210°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.345" Dia x 3.140" L (8.76mm x 79.76mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-3N-131007JE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MOX-3N-131007JE-FT |
OA153K
Ohmite
OA153KE
Ohmite
OA152K
Ohmite
OA152KE
Ohmite
OA151K
Ohmite
OA151KE
Ohmite
OA150KE
Ohmite
OA124KE
Ohmite
OA123K
Ohmite
OA123KE
Ohmite
M1A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
MPF100T-FCG484E
Microsemi Corporation
10M16SCE144C7G
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC6SLX25T-2CSG324I
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation