casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MOX-3N-131006FE
codice articolo del costruttore | MOX-3N-131006FE |
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Numero di parte futuro | FT-MOX-3N-131006FE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-3N-131006FE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 4W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 210°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.345" Dia x 3.140" L (8.76mm x 79.76mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-3N-131006FE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MOX-3N-131006FE-FT |
OA180KE
Ohmite
OA153K
Ohmite
OA153KE
Ohmite
OA152K
Ohmite
OA152KE
Ohmite
OA151K
Ohmite
OA151KE
Ohmite
OA150KE
Ohmite
OA124KE
Ohmite
OA123K
Ohmite
XC6SLX100-2FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA7H3F35I3N
Intel
XC7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A40MX04-3PL84I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQG160I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-6MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34E2LG
Intel