casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MOX-3N-131005FE
codice articolo del costruttore | MOX-3N-131005FE |
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Numero di parte futuro | FT-MOX-3N-131005FE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-3N-131005FE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 4W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 210°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.345" Dia x 3.140" L (8.76mm x 79.76mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-3N-131005FE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MOX-3N-131005FE-FT |
OA181K
Ohmite
OA181KE
Ohmite
OA180K
Ohmite
OA180KE
Ohmite
OA153K
Ohmite
OA153KE
Ohmite
OA152K
Ohmite
OA152KE
Ohmite
OA151K
Ohmite
OA151KE
Ohmite
LFXP6E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EX256-TQG100A
Microsemi Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-UCG81
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMA9K3H40C2N
Intel
A42MX16-1PQ160M
Microsemi Corporation