casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MOX-2N-131007JE
codice articolo del costruttore | MOX-2N-131007JE |
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Numero di parte futuro | FT-MOX-2N-131007JE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-2N-131007JE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 GOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 210°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.345" Dia x 2.140" L (8.76mm x 54.36mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-2N-131007JE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MOX-2N-131007JE-FT |
OA151KE
Ohmite
OA150KE
Ohmite
OA124KE
Ohmite
OA123K
Ohmite
OA123KE
Ohmite
OA122K
Ohmite
OA122KE
Ohmite
OA120K
Ohmite
OA121KE
Ohmite
OA120KE
Ohmite
LCMXO2280E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-1
Intel
5SGXMA5K2F40I3N
Intel
EP3SE260H780C4
Intel
5SGXMA9N1F45I2N
Intel
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF19I7N
Intel
EP1C12F324C6N
Intel