casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MOX-2-12-1006J
codice articolo del costruttore | MOX-2-12-1006J |
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Numero di parte futuro | FT-MOX-2-12-1006J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-2-12-1006J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Resistenza | 100 MOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 5W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 210°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.310" Dia x 2.120" L (7.87mm x 53.85mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-2-12-1006J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MOX-2-12-1006J-FT |
OA122KE
Ohmite
OA120K
Ohmite
OA121KE
Ohmite
OA120KE
Ohmite
OA105K
Ohmite
OA105KE
Ohmite
OA104K
Ohmite
OA104KE
Ohmite
OA103K
Ohmite
OA103KE
Ohmite
ICE5LP4K-SG48ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-1TQ144I
Microsemi Corporation
APA600-BGG456
Microsemi Corporation
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA9N3F45C4N
Intel
XC5VLX220-1FFG1760C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC33-2X
Intel