casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MOX-2-12-1005J
codice articolo del costruttore | MOX-2-12-1005J |
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Numero di parte futuro | FT-MOX-2-12-1005J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Maxi-Mox |
MOX-2-12-1005J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Resistenza | 10 MOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 5W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 210°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.310" Dia x 2.120" L (7.87mm x 53.85mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX-2-12-1005J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MOX-2-12-1005J-FT |
OA105K
Ohmite
OA105KE
Ohmite
OA104K
Ohmite
OA104KE
Ohmite
OA103K
Ohmite
OA103KE
Ohmite
OA102K
Ohmite
OA102KE
Ohmite
OA101K
Ohmite
OA101KE
Ohmite
EP3SL340H1152C2N
Intel
XC4VLX100-11FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-FPQ100
Microsemi Corporation
LFXP2-40E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C6
Intel
EP20K400BC652-1XV
Intel
EPF10K70RC240-2N
Intel
EPF6016QC240-2N
Intel
EP4SGX530HH35I4N
Intel