casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MMSD103T1G
codice articolo del costruttore | MMSD103T1G |
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Numero di parte futuro | FT-MMSD103T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMSD103T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMSD103T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMSD103T1G-FT |
BAS21HT3G
ON Semiconductor
NSVR0320MW2T1G
ON Semiconductor
BAS21AHT1G
ON Semiconductor
NSVBAS21HT1G
ON Semiconductor
BAS16HT3G
ON Semiconductor
NSR0320MW2T3G
ON Semiconductor
NSR1020MW2T3G
ON Semiconductor
NSVR0340HT1G
ON Semiconductor
NSVR1020MW2T1G
ON Semiconductor
SMMDL6050T1G
ON Semiconductor
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel