casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Array / MMIX4G20N250
codice articolo del costruttore | MMIX4G20N250 |
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Numero di parte futuro | FT-MMIX4G20N250 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMIX4G20N250 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2500V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 23A |
Potenza - Max | 100W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 20A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-SMD Module, 9 Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-SMPD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMIX4G20N250 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMIX4G20N250-FT |
FII40-06D
IXYS
XC6SLX75-L1FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SGXMA7H1F35C2LN
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation