casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / MMDT5551-7
codice articolo del costruttore | MMDT5551-7 |
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Numero di parte futuro | FT-MMDT5551-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMDT5551-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDT5551-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMDT5551-7-FT |
ZDT6702TA
Diodes Incorporated
ZDT6702TC
Diodes Incorporated
ZDT6705TA
Diodes Incorporated
ZDT6705TC
Diodes Incorporated
ZDT6718TC
Diodes Incorporated
ZDT6757TA
Diodes Incorporated
ZDT6757TC
Diodes Incorporated
ZDT6758TA
Diodes Incorporated
ZDT6758TC
Diodes Incorporated
ZDT6790TC
Diodes Incorporated
XC6SLX9-2TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S400-5FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484I7G
Intel
5SGXMA5N1F40C1N
Intel
M1AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
EP20K160EQC208-1X
Intel