casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / MMDT5451-7-F
codice articolo del costruttore | MMDT5451-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-MMDT5451-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMDT5451-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V, 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDT5451-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMDT5451-7-F-FT |
BCV65,215
Nexperia USA Inc.
DST847BPDP6-7
Diodes Incorporated
DST857BDJ-7
Diodes Incorporated
DST3906DJ-7
Diodes Incorporated
DN0150ADJ-7
Diodes Incorporated
DST3946DPJ-7
Diodes Incorporated
DP0150ADJ-7
Diodes Incorporated
DST3904DJ-7
Diodes Incorporated
DST847BDJ-7
Diodes Incorporated
BC857BV-7
Diodes Incorporated
AT40K05LV-3BQI
Microchip Technology
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A40MX02-PLG68I
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-2X
Intel
5CGXFC7B6M15C6N
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
A42MX24-1TQ176I
Microsemi Corporation
5SGSMD4H1F35C1N
Intel