casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / MMDT3946-7
codice articolo del costruttore | MMDT3946-7 |
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Numero di parte futuro | FT-MMDT3946-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMDT3946-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz, 250MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDT3946-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMDT3946-7-FT |
ZDT605TC
Diodes Incorporated
ZDT617TA
Diodes Incorporated
ZDT617TC
Diodes Incorporated
ZDT619TA
Diodes Incorporated
ZDT619TC
Diodes Incorporated
ZDT649TA
Diodes Incorporated
ZDT649TC
Diodes Incorporated
ZDT651TA
Diodes Incorporated
ZDT651TC
Diodes Incorporated
ZDT6702TA
Diodes Incorporated
A3PN010-QNG48
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-6BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F672C4
Intel
5AGXMA1D4F27C4N
Intel
5SGXMB6R2F43C2N
Intel
EP4S40G5H40I2N
Intel
A3P250L-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX115N4F45I3SGES
Intel
EPF10K50SQC240-1
Intel