casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / MMDT3906-7
codice articolo del costruttore | MMDT3906-7 |
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Numero di parte futuro | FT-MMDT3906-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMDT3906-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDT3906-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMDT3906-7-FT |
ZDT605TA
Diodes Incorporated
ZDT605TC
Diodes Incorporated
ZDT617TA
Diodes Incorporated
ZDT617TC
Diodes Incorporated
ZDT619TA
Diodes Incorporated
ZDT619TC
Diodes Incorporated
ZDT649TA
Diodes Incorporated
ZDT649TC
Diodes Incorporated
ZDT651TA
Diodes Incorporated
ZDT651TC
Diodes Incorporated
XC3030A-7PQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL025-1VF400
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Intel
EP2C5AF256A7N
Intel
M1A3P400-FGG144I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG144
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel