casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / MMDT3904Q-7-F
codice articolo del costruttore | MMDT3904Q-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-MMDT3904Q-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MMDT3904Q-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDT3904Q-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMDT3904Q-7-F-FT |
ZDT1048TA
Diodes Incorporated
ZDT1049TA
Diodes Incorporated
ZDT795ATA
Diodes Incorporated
ZHB6790TA
Diodes Incorporated
ZHB6792TA
Diodes Incorporated
ZDT1053TA
Diodes Incorporated
ZDT6718TA
Diodes Incorporated
ZDT6753TC
Diodes Incorporated
ZDT694TA
Diodes Incorporated
ZHB6718TA
Diodes Incorporated
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PE600-PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-6BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
EP3C55U484C7N
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4006E-3PC84C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132I
Microsemi Corporation
EP3SE110F780I3
Intel