casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MMDL914T1G
codice articolo del costruttore | MMDL914T1G |
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Numero di parte futuro | FT-MMDL914T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMDL914T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDL914T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMDL914T1G-FT |
SMMBD301LT3G
ON Semiconductor
SB01-15C-TB-E
ON Semiconductor
SBAS16LT1G
ON Semiconductor
BAS40LT3G
ON Semiconductor
SBAS20LT1G
ON Semiconductor
BAS40LT1G
ON Semiconductor
SBAS21LT3G
ON Semiconductor
BAS70LT1G
ON Semiconductor
SB05-05C-TB-E
ON Semiconductor
SBAS16LT3G
ON Semiconductor
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel