casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / MMBZ5262B-HE3-08
codice articolo del costruttore | MMBZ5262B-HE3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBZ5262B-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ5262B-HE3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 51V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 225mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 125 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 39V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ5262B-HE3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBZ5262B-HE3-08-FT |
MMBZ5254B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5254B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5254B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5254B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5254B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5254B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5254C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5254C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5254C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5254C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC484-3
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGSED8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665C
Xilinx Inc.