casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / MMBZ5260B-E3-08
codice articolo del costruttore | MMBZ5260B-E3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBZ5260B-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ5260B-E3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 43V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 225mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 93 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 33V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ5260B-E3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBZ5260B-E3-08-FT |
MMBZ5251C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5251C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5251C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5251C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5251C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5252B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5252B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5252B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5252B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5252B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E3H29C4N
Intel
LFXP15C-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP4K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34I2LG
Intel
EP2C70F896C7N
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX230DF29I3N
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel