casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / MMBZ4716-E3-08
codice articolo del costruttore | MMBZ4716-E3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBZ4716-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ4716-E3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 39V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 350mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10nA @ 29.6V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ4716-E3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBZ4716-E3-08-FT |
MMBZ4699-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4699-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4699-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4699-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4699-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4700-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4700-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4700-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4700-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4700-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1TQG144I
Xilinx Inc.
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA7N3F45C2
Intel
5SGXEA7H2F35I3L
Intel
5SGXMA4K2F35C2LN
Intel
XC7A35T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1UMG64C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H1F34I1SG
Intel
5SGSMD4H3F35C2LN
Intel