casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / MMBZ4696-G3-08
codice articolo del costruttore | MMBZ4696-G3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBZ4696-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ4696-G3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 350mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 6.9V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ4696-G3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBZ4696-G3-08-FT |
MMBZ4626-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4626-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4626-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4626-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4627-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4627-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4627-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4627-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4627-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ4627-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20AF256I8N
Intel
EPF6016AFC256-3
Intel
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC7A75T-2CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation