casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / MMBTH34
codice articolo del costruttore | MMBTH34 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBTH34 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBTH34 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Frequenza - Transizione | 500MHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 225mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 20mA, 2V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH34 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBTH34-FT |
BFP640E6327BTSA1
Infineon Technologies
BFP650
Infineon Technologies
BFP650E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFP740E6327HTSA1
Infineon Technologies
BGB 540 E6327
Infineon Technologies
BGR405H6327XTSA1
Infineon Technologies
BGR420H6327XTSA1
Infineon Technologies
MBC13900NT1
NXP USA Inc.
MBC13900T1
NXP USA Inc.
NE52418-A
CEL
XCVU3P-3FFVC1517E
Xilinx Inc.
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
AFS600-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMA5H3F35C2LN
Intel
LCMXO2-2000UHE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090R4F40I3LG
Intel
EP4CE115F29C7
Intel
EPF10K30EQI208-2N
Intel