casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / MMBTH24
codice articolo del costruttore | MMBTH24 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBTH24 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBTH24 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Frequenza - Transizione | 400MHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 225mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 8mA, 10V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH24 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBTH24-FT |
BFP620E7764BTSA1
Infineon Technologies
BFP640E6327BTSA1
Infineon Technologies
BFP650
Infineon Technologies
BFP650E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFP740E6327HTSA1
Infineon Technologies
BGB 540 E6327
Infineon Technologies
BGR405H6327XTSA1
Infineon Technologies
BGR420H6327XTSA1
Infineon Technologies
MBC13900NT1
NXP USA Inc.
MBC13900T1
NXP USA Inc.
XC3S50A-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484
Microsemi Corporation
A3P030-1QNG48I
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP1C3T100I7N
Intel
5SGXEA4K3F35I3LN
Intel
XC4VLX25-10FFG676C
Xilinx Inc.
10AX066K3F40I2LG
Intel
EP1K100QC208-1N
Intel