casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBTA56-7-F
codice articolo del costruttore | MMBTA56-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-MMBTA56-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MMBTA56-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTA56-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBTA56-7-F-FT |
MMBT3904T-13
Diodes Incorporated
MMBT3904T-7
Diodes Incorporated
MMBT3906T-7
Diodes Incorporated
MMBT4401T-7
Diodes Incorporated
MMBT4403T-7
Diodes Incorporated
ZXT10P40DE6TA
Diodes Incorporated
ZXT10N15DE6TA
Diodes Incorporated
ZXT13P12DE6TA
Diodes Incorporated
ZXT10N20DE6TA
Diodes Incorporated
ZXT13N15DE6TA
Diodes Incorporated
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel