casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT5771
codice articolo del costruttore | MMBT5771 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT5771 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT5771 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 300mV |
Potenza - Max | 225mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT5771 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT5771-FT |
2SC5171,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5171,Q(J
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2SC5172(YAZK,Q,M)
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2SC5439(F)
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2SC5459(TOJS,Q,M)
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2SC57390P
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2SC5888
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2SC59540Q
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2SC59930P
Panasonic Electronic Components
2SC59930Q
Panasonic Electronic Components
EPF6024ATC144-2N
Intel
XC2VP2-5FG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FFG144
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation