casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT5401Q-7-F
codice articolo del costruttore | MMBT5401Q-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT5401Q-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MMBT5401Q-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT5401Q-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT5401Q-7-F-FT |
BC817-16-7-F
Diodes Incorporated
BC858A-7-F
Diodes Incorporated
MMBT4124-7-F
Diodes Incorporated
FMMT497TA
Diodes Incorporated
BC817-25-7-F
Diodes Incorporated
FMMTA13TA
Diodes Incorporated
BC847C-7-F
Diodes Incorporated
DSS5160TQ-7
Diodes Incorporated
FMMT591ATA
Diodes Incorporated
FMMT634QTA
Diodes Incorporated
XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP1S25F672C7N
Intel
10AX027H3F34I2LG
Intel
5SGXEA7H3F35C2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152C3N
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation