casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT3906LP-7
codice articolo del costruttore | MMBT3906LP-7 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT3906LP-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MMBT3906LP-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 250mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT3906LP-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT3906LP-7-FT |
2DD2656-7
Diodes Incorporated
AC857CWQ-7
Diodes Incorporated
BC807-25W-7
Diodes Incorporated
BC847BW-7-F
Diodes Incorporated
BC847CW-7-F
Diodes Incorporated
BC848AW-7-F
Diodes Incorporated
BC848CW-7-F
Diodes Incorporated
BC856AW-7-F
Diodes Incorporated
BC857BW-7-F
Diodes Incorporated
BC857CW-7-F
Diodes Incorporated
XC3S200-4TQ144I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
LFE5UM-45F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
XA6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC1E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I4N
Intel