casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT3646
codice articolo del costruttore | MMBT3646 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT3646 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT3646 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 30mA, 300mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 30mA, 400mV |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT3646 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT3646-FT |
2SC5171,MATUDQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5171,ONKQ(J
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2SC5171,Q(J
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2SC5172(YAZK,Q,M)
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2SC57390P
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2SC5888
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2SC59540Q
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2SC59930P
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XC6SLX100-3FG484I
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A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
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EP1AGX60EF1152I6N
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EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel