casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT2907ALT3G
codice articolo del costruttore | MMBT2907ALT3G |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT2907ALT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT2907ALT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT2907ALT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT2907ALT3G-FT |
2SC5658RM3T5G
ON Semiconductor
MMBT5551M3T5G
ON Semiconductor
MMBT4401M3T5G
ON Semiconductor
BC847BM3T5G
ON Semiconductor
BC856BM3T5G
ON Semiconductor
BC846BM3T5G
ON Semiconductor
MMBT2222AM3T5G
ON Semiconductor
MMBT2907AM3T5G
ON Semiconductor
NS2029M3T5G
ON Semiconductor
NSVBC846BM3T5G
ON Semiconductor
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation