casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT2907ALT3G
codice articolo del costruttore | MMBT2907ALT3G |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT2907ALT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT2907ALT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT2907ALT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT2907ALT3G-FT |
2SC5658RM3T5G
ON Semiconductor
MMBT5551M3T5G
ON Semiconductor
MMBT4401M3T5G
ON Semiconductor
BC847BM3T5G
ON Semiconductor
BC856BM3T5G
ON Semiconductor
BC846BM3T5G
ON Semiconductor
MMBT2222AM3T5G
ON Semiconductor
MMBT2907AM3T5G
ON Semiconductor
NS2029M3T5G
ON Semiconductor
NSVBC846BM3T5G
ON Semiconductor
AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
APA600-FG256I
Microsemi Corporation
5CEFA7M15I7N
Intel
XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-2FGG144
Microsemi Corporation
LFEC10E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10LV-3AJI
Microchip Technology
EP2SGX30CF780C4
Intel