casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT2907ALT3G
codice articolo del costruttore | MMBT2907ALT3G |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT2907ALT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT2907ALT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT2907ALT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT2907ALT3G-FT |
2SC5658RM3T5G
ON Semiconductor
MMBT5551M3T5G
ON Semiconductor
MMBT4401M3T5G
ON Semiconductor
BC847BM3T5G
ON Semiconductor
BC856BM3T5G
ON Semiconductor
BC846BM3T5G
ON Semiconductor
MMBT2222AM3T5G
ON Semiconductor
MMBT2907AM3T5G
ON Semiconductor
NS2029M3T5G
ON Semiconductor
NSVBC846BM3T5G
ON Semiconductor
A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1S10B672C7
Intel
EP4SGX360KF43C4
Intel
5SGXMA3K3F35C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K3F35E2SG
Intel