casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT123S-7-F
codice articolo del costruttore | MMBT123S-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT123S-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MMBT123S-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 18V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 30mA, 300mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT123S-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT123S-7-F-FT |
DSS4160TQ-7
Diodes Incorporated
FMMT458QTA
Diodes Incorporated
FMMT591AQTA
Diodes Incorporated
FMMTA14TA
Diodes Incorporated
ZXTP25020BFHTA
Diodes Incorporated
BC817-16Q-7-F
Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F
Diodes Incorporated
MMBT2222A-7-F
Diodes Incorporated
MMBT3906-7-F
Diodes Incorporated
MMBTA06-7-F
Diodes Incorporated
XC6SLX25-2FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1FG676C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FF1517I
Xilinx Inc.
EP20K600CB672C8N
Intel
5SGXMA5K2F35C1N
Intel
M1AGL1000V5-CS281I
Microsemi Corporation
AGL400V5-CS196I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I5N
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel