casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MMBD7000LT1G
codice articolo del costruttore | MMBD7000LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-MMBD7000LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBD7000LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD7000LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBD7000LT1G-FT |
MURH840CTG
ON Semiconductor
NRTSV20H100CTG
ON Semiconductor
MBR60H100CTG
ON Semiconductor
NTSV20H120CTG
ON Semiconductor
MBR2535CTLG
ON Semiconductor
MUR1620CTRG
ON Semiconductor
MUR1620CTG
ON Semiconductor
MUR1660CTG
ON Semiconductor
MBR1545CTG
ON Semiconductor
MBR2545CTG
ON Semiconductor
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel