casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MMBD4448W-7
codice articolo del costruttore | MMBD4448W-7 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBD4448W-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBD4448W-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448W-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBD4448W-7-FT |
SF20GG-T
Diodes Incorporated
SF20HG-T
Diodes Incorporated
SF20JG-T
Diodes Incorporated
UF2001-T
Diodes Incorporated
UF2002-T
Diodes Incorporated
UF2003-T
Diodes Incorporated
UF2005-T
Diodes Incorporated
UF2006-T
Diodes Incorporated
UF2007-T
Diodes Incorporated
UG2001-T
Diodes Incorporated
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel