casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MMBD4448HTW-7-F
codice articolo del costruttore | MMBD4448HTW-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-MMBD4448HTW-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBD4448HTW-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 250mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448HTW-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBD4448HTW-7-F-FT |
SR4050PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG2004PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG6005PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SBR10150CTFP
Diodes Incorporated
SBR20100CTFP
Diodes Incorporated
SBR10U60CTFP
Diodes Incorporated
MBR20150SCTF-E1
Diodes Incorporated
MBR20100CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR20150SCTF-G1
Diodes Incorporated
SBR20A40CTFP
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel