casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MMBD4448HT-TP
codice articolo del costruttore | MMBD4448HT-TP |
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Numero di parte futuro | FT-MMBD4448HT-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBD4448HT-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 70V |
Capacità @ Vr, F | 3.5pF @ 6V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448HT-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBD4448HT-TP-FT |
GF1B-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1D-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1GHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1AHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1K-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1DHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1A-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1JHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel