casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MMBD4448H-7
codice articolo del costruttore | MMBD4448H-7 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBD4448H-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBD4448H-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 70V |
Capacità @ Vr, F | 3.5pF @ 6V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448H-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBD4448H-7-FT |
SDM2U20CSP-7
Diodes Incorporated
SDM2U30CSP-7
Diodes Incorporated
SDM1U20CSP-7
Diodes Incorporated
SDM2A20CSP-7
Diodes Incorporated
SDM1U40CSP-7
Diodes Incorporated
SDM05U40CSP-7
Diodes Incorporated
SDM05U20CSP-7
Diodes Incorporated
SDM1A40CSP-7
Diodes Incorporated
BAS116LP3-7
Diodes Incorporated
1SS361LP3-7
Diodes Incorporated
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel