casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MMBD1205_D87Z
codice articolo del costruttore | MMBD1205_D87Z |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MMBD1205_D87Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBD1205_D87Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD1205_D87Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBD1205_D87Z-FT |
1SS374(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS398TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DB3X313N0L
Panasonic Electronic Components
DB3X315E0L
Panasonic Electronic Components
DB3X316F0L
Panasonic Electronic Components
DB3X316J0L
Panasonic Electronic Components
CDBV6-54BR-G
Comchip Technology
TBAV99,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS4004E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAS4005E6327HTSA1
Infineon Technologies
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel