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codice articolo del costruttore | MLF2012DR27MTD25 |
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Numero di parte futuro | FT-MLF2012DR27MTD25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MLF |
MLF2012DR27MTD25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 270nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 250mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 350 mOhm Max |
Q @ Freq | 20 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 250MHz |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.041" (1.05mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLF2012DR27MTD25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MLF2012DR27MTD25-FT |
MLF2012A4R7M
TDK Corporation
MLF2012C101M
TDK Corporation
MLF2012C180M
TDK Corporation
MLF2012C220M
TDK Corporation
MLF2012C270M
TDK Corporation
MLF2012DR22M
TDK Corporation
MLF2012DR47M
TDK Corporation
MLF2012DR56M
TDK Corporation
MLF2012DR82KT
TDK Corporation
MLF2012DR82M
TDK Corporation
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel