casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Embedded - Microcontrollori / ML610Q421P-NNNTB0ARL
codice articolo del costruttore | ML610Q421P-NNNTB0ARL |
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Numero di parte futuro | FT-ML610Q421P-NNNTB0ARL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ML610400 |
ML610Q421P-NNNTB0ARL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | nX-U8/100 |
Dimensione del nucleo | 8-Bit |
Velocità | 4.2MHz |
Connettività | I²C, SSP, UART/USART |
periferiche | LCD, Melody Driver, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 22 |
Dimensione della memoria del programma | 32KB (16K x 16) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 2K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 1.1V ~ 3.6V |
Convertitori di dati | A/D 2x12b, 2x24b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 120-TQFP |
120-TQFP (14x14) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ML610Q421P-NNNTB0ARL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ML610Q421P-NNNTB0ARL-FT |
R5F3651KDFC#U0
Renesas Electronics America
R5F3651MDFC#U0
Renesas Electronics America
R5F3651NDFC#U0
Renesas Electronics America
R5F3651TNFC#U0
Renesas Electronics America
UPD70F3767GF-GAT-AX
Renesas Electronics America
NANO100KE3BN
Nuvoton Technology Corporation of America
NANO110KE3BN
Nuvoton Technology Corporation of America
NANO120KE3BN
Nuvoton Technology Corporation of America
NANO130KE3BN
Nuvoton Technology Corporation of America
MSP430F67451IPEU
Texas Instruments
XCV100E-6FG256I
Xilinx Inc.
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400CF672C8
Intel
10AX032H4F35E3LG
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
EP3SL200F1152C4L
Intel
M1A3P400-1FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35I5N
Intel