casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Embedded - Microcontrollori / ML610Q411P-NNNTB0ARL
codice articolo del costruttore | ML610Q411P-NNNTB0ARL |
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Numero di parte futuro | FT-ML610Q411P-NNNTB0ARL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ML610400 |
ML610Q411P-NNNTB0ARL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | nX-U8/100 |
Dimensione del nucleo | 8-Bit |
Velocità | 625kHz |
Connettività | I²C, SSP, UART/USART |
periferiche | LCD, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 22 |
Dimensione della memoria del programma | 16KB (8K x 16) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 1K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 1.1V ~ 3.6V |
Convertitori di dati | A/D 2x12b, 2x24b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 120-TQFP |
- | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ML610Q411P-NNNTB0ARL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ML610Q411P-NNNTB0ARL-FT |
R5F3651EDFC#U0
Renesas Electronics America
R5F3651KDFC#U0
Renesas Electronics America
R5F3651MDFC#U0
Renesas Electronics America
R5F3651NDFC#U0
Renesas Electronics America
R5F3651TNFC#U0
Renesas Electronics America
UPD70F3767GF-GAT-AX
Renesas Electronics America
NANO100KE3BN
Nuvoton Technology Corporation of America
NANO110KE3BN
Nuvoton Technology Corporation of America
NANO120KE3BN
Nuvoton Technology Corporation of America
NANO130KE3BN
Nuvoton Technology Corporation of America
AGL600V2-FG256I
Microsemi Corporation
APA150-PQG208A
Microsemi Corporation
10M50DCF484I7G
Intel
5CEBA4F17I7
Intel
5SGXEA4K2F40I2N
Intel
5SGXEB5R1F43C2LN
Intel
XC6VSX475T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CS281
Microsemi Corporation
AT6003-4JI
Microchip Technology
10AX066K4F35I3LG
Intel