casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Embedded - Microcontrollori / ML610Q411P-NNNTB0ARL
codice articolo del costruttore | ML610Q411P-NNNTB0ARL |
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Numero di parte futuro | FT-ML610Q411P-NNNTB0ARL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ML610400 |
ML610Q411P-NNNTB0ARL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | nX-U8/100 |
Dimensione del nucleo | 8-Bit |
Velocità | 625kHz |
Connettività | I²C, SSP, UART/USART |
periferiche | LCD, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 22 |
Dimensione della memoria del programma | 16KB (8K x 16) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 1K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 1.1V ~ 3.6V |
Convertitori di dati | A/D 2x12b, 2x24b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 120-TQFP |
- | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ML610Q411P-NNNTB0ARL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ML610Q411P-NNNTB0ARL-FT |
R5F3651EDFC#U0
Renesas Electronics America
R5F3651KDFC#U0
Renesas Electronics America
R5F3651MDFC#U0
Renesas Electronics America
R5F3651NDFC#U0
Renesas Electronics America
R5F3651TNFC#U0
Renesas Electronics America
UPD70F3767GF-GAT-AX
Renesas Electronics America
NANO100KE3BN
Nuvoton Technology Corporation of America
NANO110KE3BN
Nuvoton Technology Corporation of America
NANO120KE3BN
Nuvoton Technology Corporation of America
NANO130KE3BN
Nuvoton Technology Corporation of America
A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K40LV-3DQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C7
Intel
XC4010XL-1BG256C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XA7A50T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX110DF29C3N
Intel
EP3C16Q240C8N
Intel
EP4SGX110HF35I4
Intel