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codice articolo del costruttore | MK22FN512VDC12R |
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Numero di parte futuro | FT-MK22FN512VDC12R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Kinetis K20 |
MK22FN512VDC12R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | ARM® Cortex®-M4 |
Dimensione del nucleo | 32-Bit |
Velocità | 120MHz |
Connettività | I²C, IrDA, SPI, UART/USART, USB, USB OTG |
periferiche | DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 81 |
Dimensione della memoria del programma | 512KB (512K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 128K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 1.71V ~ 3.6V |
Convertitori di dati | A/D 38x16b; D/A 2x12b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 121-XFBGA |
121-BGA (8x8) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MK22FN512VDC12R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MK22FN512VDC12R-FT |
MC908QY2AMDWER
NXP USA Inc.
MC908QY2AVDWER
NXP USA Inc.
MC908QY4ACDWER
NXP USA Inc.
MC908QY4AMDWE
NXP USA Inc.
MC908QY4AMDWER
NXP USA Inc.
MC908QY4CDWER
NXP USA Inc.
MC908QY4MDWER
NXP USA Inc.
MC908QY8CDWE
NXP USA Inc.
MC908QY8VDWE
NXP USA Inc.
MCHC705KJ1CDWE
NXP USA Inc.
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-4FGG320I
Xilinx Inc.
XA3S1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX02-1PL68I
Microsemi Corporation
EP20K200CF672C9
Intel
5SGSED8N3F45I4N
Intel
LCMXO2-640HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F35C4N
Intel
EP3SE110F780I4N
Intel