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codice articolo del costruttore | MK12DN512VLK5R |
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Numero di parte futuro | FT-MK12DN512VLK5R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Kinetis K10 |
MK12DN512VLK5R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | ARM® Cortex®-M4 |
Dimensione del nucleo | 32-Bit |
Velocità | 50MHz |
Connettività | I²C, IrDA, SPI, UART/USART |
periferiche | DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 60 |
Dimensione della memoria del programma | 512KB (512K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 64K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 1.71V ~ 3.6V |
Convertitori di dati | A/D 24x16b; D/A 1x12b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 80-LQFP |
80-FQFP (12x12) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MK12DN512VLK5R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MK12DN512VLK5R-FT |
R5F524T8ADFN#31
Renesas Electronics America
R5F524TAADFF#31
Renesas Electronics America
R5F562T6ADFF#V1
Renesas Electronics America
R5F562T6ADFF#V3
Renesas Electronics America
R5F562T6BDFF#V1
Renesas Electronics America
R5F562T6BDFF#V3
Renesas Electronics America
R5F562T6DDFF#V1
Renesas Electronics America
R5F562T6DDFF#V3
Renesas Electronics America
R5F562T6EDFF#V1
Renesas Electronics America
R5F562T6EDFF#V3
Renesas Electronics America
LCMXO2-7000HC-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4008E-2PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
5SGXMABN3F45C4N
Intel
AGL1000V5-CS281I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation