codice articolo del costruttore | MJE702G |
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Numero di parte futuro | FT-MJE702G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJE702G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 30mA, 1.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 1.5A, 3V |
Potenza - Max | 40W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-225AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJE702G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJE702G-FT |
2SB14140RA
Panasonic Electronic Components
2SB14160RA
Panasonic Electronic Components
2SD21330SA
Panasonic Electronic Components
2SD21360QA
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2SD21360RA
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2SD21780RA
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2SD21780SA
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2SD22200RA
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2SD24790RA
Panasonic Electronic Components
2SD25730QA
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XC7A35T-2FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2LN
Intel
5SGSED6K2F40I3LN
Intel
5SGSED6K2F40I3N
Intel
5SGXEB6R2F40C2LN
Intel
LCMXO2-2000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX022E3F29E1SG
Intel
EPF10K50SQC208-2X
Intel