codice articolo del costruttore | MJE200G |
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Numero di parte futuro | FT-MJE200G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJE200G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
Potenza - Max | 15W |
Frequenza - Transizione | 65MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-225AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJE200G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJE200G-FT |
2SD21360RA
Panasonic Electronic Components
2SD21780RA
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2SD21780SA
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2SD22200RA
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2SD24790RA
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2SD25730QA
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2SB13980QA
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2SA16740SA
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2SB13980PA
Panasonic Electronic Components
2SB14460RA
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AT40K10LV-3BQC
Microchip Technology
XC3S400A-5FG400C
Xilinx Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35I5N
Intel
EPF8282ALC84-4N
Intel
EPF8452AQC160-4
Intel
EP4SGX180FF35I3
Intel