casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJE180PWD
codice articolo del costruttore | MJE180PWD |
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Numero di parte futuro | FT-MJE180PWD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJE180PWD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.7V @ 600mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 1.5W |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-126 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJE180PWD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJE180PWD-FT |
KSA1156YSTSTU
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KSA1220AOS
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KSA1220AYSTSTU
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KSA1220YSTU
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KSA1381ES
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KSA1381ESTSTU
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XC3S50A-4TQ144I
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XC6SLX100T-N3FG484I
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