casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD44H11T4G
codice articolo del costruttore | MJD44H11T4G |
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Numero di parte futuro | FT-MJD44H11T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD44H11T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
Potenza - Max | 1.75W |
Frequenza - Transizione | 85MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD44H11T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD44H11T4G-FT |
SMMBTA56WT1G
ON Semiconductor
BC847BWT1G
ON Semiconductor
MMBT2222AWT1G
ON Semiconductor
MSB92AS1WT1G
ON Semiconductor
MSB92ASWT1G
ON Semiconductor
MSD42SWT1G
ON Semiconductor
NSVBC848BWT1G
ON Semiconductor
NSVMMBT5401WT1G
ON Semiconductor
NSVMSB1218A-RT1G
ON Semiconductor
NSVMSD42WT1G
ON Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C7N
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FT324C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5
Intel
EP2S130F1020C3
Intel